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三星去年发布了840 Pro与840两款SSD，这两款产品分别对应高端是低端市场，高端的840 Pro有着无比强劲的性能，而低端的840用的是TLC而且性能不怎么样，不过胜在售价低廉，可以吸引不少入门级用户。
今年三星又推出了一款840 EVO，定位介于840 Pro与840之间，有120GB、250GB、500GB、750GB和1TB五款容量，是首款容量达到1TB的消费级SSD，它与840一样用TLC闪存，不过官方给出性能都快能比得上用MLC闪存的840 Pro了，这当中有什么奥秘呢？今天就来探讨一下。
三星840 EVO的外壳与840 Pro/840是有所不同的，外壳颜色变浅了，上面的文字和正方形图案都变成黑色。内部的话也有大幅度变化，主控从原来的MDX升级为MEX，闪存也从21nm工艺升级为19nm工艺。
三星840 EVO背部照片，仔细看的话会发现螺丝的位置变了，其实现在新版的840 Pro/840也是用这个外壳，840 Pro/840这两款产品其实悄悄进行了一次改版，内部都变另一个样了，不过性能方面没怎么变化，三星也没出公告，所以没多少人察觉到这件事情。
三星840 EVO的规格如上表所示，840 EVO所用的MEX主控，其实架构和840Pro/840所用的MDX主控没啥区别，不过运行频率从300MHz提升到400MHz，所用即使用TLC闪存随机性能也可以和840 Pro差不多。
840 EVO所加入的一项重要技术就是TurboWrite，其实这个就是SLC Cache模式，把TLC闪存模拟成SLC闪存来工作，这样就可以让SSD的写入能力大幅度提升了，不同容量的840 EVO拥有不同容量的TurboWrite Cache，比如今天要测试的840 EVO 250GB就有3GB，注意这个是换算成SLC后的可用缓存空间，实际占用的TLC闪存其实有9GB，如果大家不清楚SLC、MLC、TLC是什么的话可以查阅我们之前的横评文章——《花开正当时，十四款120/128GB SSD横向评测》。
写入840 EVO的数据都会先进入TurboWrite Cache里面，然后再写入工作在普通的闪存内，如果写入文件太大用完TurboWrite Cache剩余空间的话，写入速度就会大幅度下降至TLC本来的速度，这个就是规格表上为啥有两个写入速度的原因了。
拆开SSD外壳，你会发现里面的PCB只有那么小小的一快，壳子里面有很大闲置空间，更大容量版本的840 Evo的PCB会大一点，因为需要空间搭载更多的NAND，新版的840 Pro和840内部也是差不多这个样。
这是120GB和250GB所用的PCB，好小的一块，上面只有两颗闪存，500GB、750GB和1TB上用的是不同的PCB，因为这三款所用的NAND数量更多，500GB的用了四颗闪存，750GB和1TB的用了八颗闪存。
两颗NAND就有256GB的容量了
编号为S4LN45X01的三星MEX主控，是一颗三核Coretex-R4处理器，频率400MHz
512MB的LPDDR2 DRAM缓存
三星840 EVO用的是19nm工艺Toggle 2.0 TLC闪存，250GB所用的闪存颗粒编号为K90KGY8S7M-CCK0，每die容量从原来的64Gb提升到128Gb，每颗闪存堆叠了8个die，这样单颗容量就高达128GB，两颗就可以组成256GB的容量，三星的19nm闪存依然采用8K Page设计，与东芝和IMFT的16K Page不同，不用做那么多优化就能保持好4K随机性能。
简包版三星840 EVO的包装
产品附件，三星 SSD Magician的光盘，产品说明书以及贴纸